凈化工程簡介

什么是凈化工程？

凈化工程是指在一定空間范圍內，將空氣中的微粒子、有害空氣、細菌等污染物排除，凈化工程能將室外溫度、清潔度、壓力、氣體流動速率與氣體流動分布、噪音振動及照明、靜電控制在某一要求范圍內的工程。凈化工程所特別設計的房間，不論外在空氣條件如何變化，凈化工程均具有維持原先所設置要求之清潔度、溫濕度及壓力等性能。

溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。

直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。

相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產溫度范圍為35—45%。

氣壓規定

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則： 1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。 2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。

噪聲控制

潔凈室噪聲標準一般均嚴于保護健康的標準，目的在于保障操作正常進行，滿足必要的談話系及安全舒適的工作環境。因此衡量潔凈室的噪聲主要指標是：
1．煩惱的效應
由于噪聲，使人感到不安寧而產生煩惱情緒，一般分為極安靜、很安靜、較安靜、稍嫌吵鬧，比較吵鬧和極吵鬧7個煩惱等級。凡反應水平屬于很吵鬧和極吵鬧者，即為高煩惱，高煩惱人數在總人數中的百分比即為高煩惱率。
2．對工作效率的影響
這主要看三方面的反應水平，這三個方面是：集中精神，動作準確性，工作速度；
3．對綜合通訊的干擾
這主要分為：清楚或滿意，稍困難，困難，不可能
對以上三方面指標都用A聲級來評價。在50年代曾提出用一條頻譜曲線作為評價標準即各頻帶中心頻率的聲壓級不得超過該曲線。后來了解到刷A等級來計量噪聲與噪聲的語音干擾和煩惱程度更為臺適，可以代替倍頻帶聲壓級作為評價標準的指標。

防靜電

潔凈室中由于靜電引起的的事故屢有發生，因此潔凈室的防靜電能力如何已成為評價其質量的一個不可忽視的方面。
所謂靜電，是由于摩擦等原因破壞了物體中正(+)負 一）電荷等量的均勻的電中性狀態，而使電荷過剩，物體呈帶電狀態，由于這些電荷平時是不流動的，故稱靜電。
在潔凈室內靜電導致的事故有以下幾方面；
1．靜電電引起的靜電電擊，引起人的不安全和恐懼感，并可造成二次傷害(例如人因受電擊而摔倒，由摔倒又致傷)；
2．靜電放電引起的放電電流，可導致諸如半導體元件等破壞和誤動作，例如將50塊P- MOS電路放在塑料袋內，搖晃數次后，與非門柵極嚴重擊穿者計39塊，失效率競達78%，這是因為半導體器件對靜電放電十分靈敏；
3．靜電放電產生的電磁波可導致電子儀器和裝置的雜音和誤動作；
4．靜電放電的發光可導致照相肢片等感光破壞；
5．靜電的力學現象可導致篩孔被粉塵堵塞，紡紗線紛亂，印刷品深淺不均和制品污染；

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